WSD75N12GDN56 N-Kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht
D'Spannung vum WSD75N12GDN56 MOSFET ass 120V, de Stroum ass 75A, d'Resistenz ass 6mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher
Medizinesch Ausrüstung MOSFET, Dronen MOSFET, PD Stroumversuergung MOSFET, LED Stroumversuergung MOSFET, industriell Ausrüstung MOSFET.
MOSFET Applikatioun FelderWINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET Parameteren
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Unitéiten |
| VDSS | Drain-zu-Source Spannung | 120 | V |
| VGS | Gate-zu-Quell Spannung | ± 20 | V |
| ID | 1 Continuous Drain Current (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Continuous Drain Current (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulséiert Drain aktuell | 320 | A |
| IAR | Eenzelpuls Lawinestroum | 40 | A |
| EASa | Eenzelpuls Lawineenergie | 240 | mJ |
| PD | Power Dissipatioun | 125 | W |
| TJ, Eng | Operatioun Junction an Stockage Temperatur Beräich | -55 bis 150 | ℃ |
| TL | Maximal Temperatur fir Soldering | 260 | ℃ |
| RθJC | Thermesch Resistenz, Kräizung-ze-Fall | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Thermesch Resistenz, Kräizung-zu-Ambient | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Test Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Unitéiten |
| VDSS | Drain zu Source Breakdown Volt | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drain zu Quell Leckaktuell | VDS = 120V, VGS = 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Gate zu Source Forward Leckage | VGS = +20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Gate zu Quell ëmgedréint Leckage | VGS = -20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Gate Threshold Volt | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON) 1 | Drain-ze-Source On-Resistenz | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Input Kapazitéit | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Output Kapazitéit | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Ëmgedréit Transfer Kapazitéit | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Gate Resistenz | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Opzemaachen Verzögerung Time | ID = 20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Rise Time | -- | 11 | -- | ns | |
| td (OFF) | Ausschalten Verzögerungszäit | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Hierscht Zäit | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Total Gate Charge | VGS = 0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Gate Quell Charge | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Gate Drain Charge | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Diode Forward aktuell | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Diode Pulse aktuell | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Diode Forward Volt | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Ëmgedréint Erhuelung Zäit | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | -- | 250 | -- | nC |
