WSD6060DN56 N-Kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD6060DN56 N-Channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET Featured Image

kuerz Beschreiwung:

Part Number:WSD6060DN56

BVDS:60v e

ID:65 A

RDSON:7,5mΩ

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5X6-8

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht

D'Spannung vum WSD6060DN56 MOSFET ass 60V, de Stroum ass 65A, d'Resistenz ass 7.5mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher

E-Zigaretten MOSFET, Wireless Opluedstatiounen MOSFET, Motore MOSFET, Drohnen MOSFET, medezinesch Fleg MOSFET, Auto Opluedapparater MOSFET, controllers MOSFET, digital Produiten MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsument elektronesch MOSFET.

WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

MOSFET Parameteren

Symbol	Parameter		Bewäertung	Eenheet
Gemeinsam Bewäertungen
VDSS	Drain-Source Volt		60	V
VGSS	Gate-Source Volt		± 20	V
T_J	Maximal Kräizung Temperatur		150	°C
TSTG	Stockage Temperatur Beräich		-55 bis 150	°C
I_S	Diode kontinuéierlech Forward aktuell	T_c= 25°C	30	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell	T_c= 25°C	65	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell	T_c= 70°C	42	A
ech DM b	Pulsdrain Stroum getest	T_c= 25°C	250	A
P_D	Maximal Power Dissipatioun	T_c= 25°C	62,5	W
P_D	Maximal Power Dissipatioun	T_C= 70°C	38	W
R_qJL	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Lead	Steady Staat	2.1	°C/W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	Steady Staat^b	50	°C/W
ech AS^d	Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod	L=0,5mH	18	A
E AS d	Avalanche Energy, Single Puls	L=0,5mH	81	mJ

Symbol	Parameter	Test Konditiounen		Min.	Typ.	Max.	Eenheet
Statesch Charakteristiken
BV_DSS	Drain-Source Decompte Volt	V_GS= 0V, ech_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell	V_DS= 48V, V_GS= 0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell						mA
			T_J= 85°C	-	-	30
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	V_DS=V_GS, ech_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Gate Leckaktuell	V_GS= ± 20V, V_DS= 0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) 3	Drain-Quell Op-Staat Resistenz	V_GS= 10V, ech_DS= 20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Drain-Quell Op-Staat Resistenz	V_GS= 4.5V, ech_DS= 15 A		-	10	15	m W
Diode Charakteristiken
V SD	Diode Forward Volt	I_SD= 1A, V_GS= 0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Ëmgedréint Erhuelung Zäit	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Reverse Recovery Charge	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Dynamesch Charakteristiken^{3, 4}
R_G	Gate Resistenz	V_GS= 0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_ass	Input Kapazitéit	V_GS= 0V, V_DS= 30V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Output Kapazitéit			-	270	-
C_rss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit			-	40	-
td(ON)	Opzemaachen Verzögerung Time	VDD=30V, IDS=1A, VGEN = 10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Opzemaachen Rise Time			-	6	-
td(OFF)	Ausschalten Verzögerungszäit			-	33	-
t_f	Ausschalten Fall Time			-	30	-
Gate Charge Charakteristiken ^{3, 4}
Q_g	Total Gate Charge	V_DS= 30V, V_GS= 4.5V, ech_DS= 20A		-	13	-	nC
Q_g	Total Gate Charge	V_DS= 30V, V_GS= 10V, I_DS= 20A		-	27	-
Q_gth	Threshold Gate Charge			-	4.1	-
Q_gs	Gate-Source Charge			-	5	-
Q_gd	Gate-Drain Charge			-	4.2	-