WSD6040DN56 N-Kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht
D'Spannung vum WSD6040DN56 MOSFET ass 60V, de Stroum ass 36A, d'Resistenz ass 14mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher
E-Zigaretten MOSFET, Wireless Opluedstatiounen MOSFET, Motore MOSFET, Drohnen MOSFET, medezinesch Fleg MOSFET, Auto Opluedapparater MOSFET, controllers MOSFET, digital Produiten MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsument elektronesch MOSFET.
WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET Parameteren
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Unitéiten | ||
| VDS | Drain-Source Volt | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Volt | ± 20 | V | ||
| ID | Kontinuéierlech Drain aktuell | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Kontinuéierlech Drain aktuell | TA = 25°C | 8.4 | A | |
| TA = 100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulséiert Drain aktuell | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TA = 25°C | 2.08 | W | |
| TA = 70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Single Pulse Avalanche Energie | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode kontinuéierlech Forward aktuell | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maximal Kräizung Temperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Stockage Temperatur Beräich | -55 bis 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Thermesch Resistenz Kräizung zu ambient | Steady Staat | 60 | ℃/W | |
| Rθ JC | Thermesch Resistenz-Kräizung zu Fall | Steady Staat | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Eenheet | |
| Statesch | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Decompte Volt | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Volt Drain aktuell | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ= 85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Leckaktuell | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Op Charakteristiken | |||||||
| VGS(TH) | Gate Threshold Volt | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (an)d | Drain-Quell Op-Staat Resistenz | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Wiesselen | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 30V VGS = 10V ID = 25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sauer Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (an) | Opzemaachen Verzögerung Time | VGEN = 10V VDD = 30V ID=1A RG=6Ω RL = 30 Ω | 17 | ns | |||
| tr | Opzemaachen Rise Time | 9 | ns | ||||
| td (aus) | Ausschalten Verzögerungszäit | 58 | ns | ||||
| tf | Ausschalten Fall Time | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat Resistenz | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamesch | |||||||
| Ciss | An der Kapazitéit | VGS = 0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Eraus Kapazitéit | 140 | pF | ||||
| Crss | Ëmgedréint Transfer Kapazitéit | 100 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Charakteristiken a maximal Bewäertungen | |||||||
| IS | Kontinuéierlech Quell aktuell | VG=VD=0V , Kraaftstroum | 18 | A | |||
| ISM | Pulséiert Quell aktuell 3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diode Forward Volt | ISD = 20A, VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Ëmgedréint Erhuelung Zäit | ISD= 25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
