WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Dëst ass eng magnetesch drahtlose Kraaftbank déi automatesch Apple Telefonen erkennt an keng Knäpperaktivéierung erfuerdert. Et integréiert 2.0 / QC3.0 / PA2.0 / PD3.0 / SCP / AFC Input an Output séier Opluedprotokoller. Et ass e Wireless Power Bank Produkt dat kompatibel ass mat Apple / Samsung Handy Synchron Boost / Step-Down Konverter, Li Batterie Lademanagement, Digital Tube Power Indikatioun, magnetesch drahtlos Laden an aner Funktiounen.

Model Number:WSD4098

BVDS:40 V

RDSON:7,8mΩ

ID:22 A

Kanal:Dual N-Kanal

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSD4098 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 22A, d'Resistenz ass 7.8mΩ, de Kanal ass Dual N-Channel, an de Package ass DFN5 * 6-8.

Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSD4098DN56 ass den héchste Leeschtung Trench Dual N-Ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt. De WSD4098DN56 entsprécht dem RoHS a Green Product Ufuerderung 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt Héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Exzellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchron, Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autoscharger, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

AOS AON6884

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter		Bewäertung	Eenheet
Gemeinsam Bewäertungen
VDSS	Drain-Source Volt		40	V
VGSS	Gate-Source Volt		± 20	V
TJ	Maximal Kräizung Temperatur		150	°C
TSTG	Stockage Temperatur Beräich		-55 bis 150	°C
IS	Diode kontinuéierlech Forward aktuell	TA = 25°C	11.4	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell	TA = 25°C	22	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell			A
		TA = 70°C	22
ech DM b	Pulsdrain Stroum getest	TA = 25°C	88	A
PD	Maximal Power Dissipatioun	T. = 25°C	25	W
PD	Maximal Power Dissipatioun	TC=70°C	10	W
RqJL	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Lead	Steady Staat	5	°C/W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	Standhafte Staat b	90	°C/W
I AS d	Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod	L=0,5mH	28	A
E AS d	Avalanche Energy, Single Puls	L=0,5mH	39,2	mJ

Symbol	Parameter	Test Konditiounen		Min.	Typ.	Max.	Eenheet
Statesch Charakteristiken
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell						mA
			TJ = 85°C	-	-	30
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Gate Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) e	Drain-Quell Op-Staat Resistenz	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Drain-Quell Op-Staat Resistenz	VGS=4.5V, IDS=12A		-	9.0	11	m W
Diode Charakteristiken
V SD e	Diode Forward Volt	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Ëmgedréint Erhuelung Zäit	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dynamesch Charakteristiken f
RG	Gate Resistenz	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Input Kapazitéit	VGS=0V, VDS = 20V, Frequenz = 1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Output Kapazitéit			-	317	-
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit			-	96	-
td(ON)	Opzemaachen Verzögerung Time	VDD = 20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Opzemaachen Rise Time			-	8	-
td(OFF)	Ausschalten Verzögerungszäit			-	30	-
tf	Ausschalten Fall Time			-	21	-
Gate Charge Charakteristiken f
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgt	Threshold Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-