WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Dëst ass eng magnetesch drahtlose Kraaftbank déi automatesch Apple Telefonen erkennt an keng Knäpperaktivéierung erfuerdert.Et integréiert 2.0 / QC3.0 / PA2.0 / PD3.0 / SCP / AFC Input an Output séier Opluedprotokoller.Et ass e Wireless Power Bank Produkt dat kompatibel ass mat Apple/Samsung Handy Synchron Boost / Step-Down Konverter, Li Batterie Opluedmanagement, Digital Tube Power Indikatioun, magnetesch drahtlos Laden an aner Funktiounen.


  • Model Number:WSD4098
  • BVDS:40 V
  • RDSON:7,8mΩ
  • ID:22 A
  • Kanal:Dual N-Kanal
  • Package:DFN5*6-8
  • Produit Summer:D'Spannung vum WSD4098 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 22A, d'Resistenz ass 7.8mΩ, de Kanal ass Dual N-Channel, an de Package ass DFN5 * 6-8.
  • Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.
  • Produit Detailer

    Applikatioun

    Produit Tags

    Allgemeng Beschreiwung

    De WSD4098DN56 ass den héchste Performance Trench Dual N-Ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt.De WSD4098DN56 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

    Eegeschaften

    Fortgeschratt Héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Exzellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar

    Uwendungen

    Héichfrequenz Point-of-Load Synchron, Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autoscharger, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

    entspriechend Material Zuel

    AOS AON6884

    Wichteg Parameteren

    Symbol Parameter   Bewäertung Eenheet
    Gemeinsam Bewäertungen      
    VDSS Drain-Source Volt   40 V
    VGSS Gate-Source Volt   ± 20 V
    TJ Maximal Kräizung Temperatur   150 °C
    TSTG Stockage Temperatur Beräich   -55 bis 150 °C
    IS Diode kontinuéierlech Forward aktuell TA = 25°C 11.4 A
    ID Kontinuéierlech Drain aktuell TA = 25°C 22 A
       
        TA = 70°C 22  
    ech DM b Pulsdrain Stroum getest TA = 25°C 88 A
    PD Maximal Power Dissipatioun T. = 25°C 25 W
    TC=70°C 10
    RqJL Thermesch Resistenz-Kräizung zu Lead Steady Staat 5 °C/W
    RqJA Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient t £10s 45 °C/W
    Standhafte Staat b 90
    I AS d Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod L=0,5mH 28 A
    E AS d Avalanche Energy, Single Puls L=0,5mH 39,2 mJ
    Symbol Parameter Test Konditiounen Min. Typ. Max. Eenheet
    Statesch Charakteristiken          
    BVDS Drain-Source Decompte Volt VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Zero Gate Volt Drain aktuell VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
             
          TJ = 85°C - - 30  
    VGS (eng) Gate Threshold Volt VDS=VGS, IDS=250mA 1.2 1.8 2.5 V
    IGSS Gate Leckaktuell VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    R DS(ON) e Drain-Quell Op-Staat Resistenz VGS=10V, IDS=14A - 6.8 7.8 m W
    VGS=4.5V, IDS=12A - 9,0 11
    Diode Charakteristiken          
    V SD e Diode Forward Volt ISD=1A, VGS=0V - 0,75 1.1 V
    trr Ëmgedréint Erhuelung Zäit ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs - 23 - ns
    Qrr Reverse Recovery Charge - 13 - nC
    Dynamesch Charakteristiken f          
    RG Gate Resistenz VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz - 2.5 - W
    Ciss Input Kapazitéit VGS=0V,

    VDS = 20V,

    Frequenz = 1.0MHz

    - 1370 1781 pF
    Coss Output Kapazitéit - 317 -
    Crss Ëmgedréint Transfer Kapazitéit - 96 -
    td(ON) Opzemaachen Verzögerung Time VDD = 20V,

    RL=20W, IDS=1A,

    VGEN=10V, RG=6W

    - 13.8 - ns
    tr Opzemaachen Rise Time - 8 -
    td(OFF) Ausschalten Verzögerungszäit - 30 -
    tf Ausschalten Fall Time - 21 -
    Gate Charge Charakteristiken f          
    Qg Total Gate Charge VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A - 23 28 nC
    Qg Total Gate Charge VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A - 22 -
    Qgt Threshold Gate Charge - 2.6 -
    Qgs Gate-Source Charge - 4.7 -
    Qgd Gate-Drain Charge - 3 -

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis