WSD4076DN56 N-Kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSD4076DN56 N-Kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Part Number:WSD4076DN56 Ubidder

BVDS:40 V

ID:76 A

RDSON:6,9m Ω 

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5X6-8


Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht

D'Spannung vum WSD4076DN56 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 76A, d'Resistenz ass 6.9mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher

Kleng Apparater MOSFET, Handheld Apparater MOSFET, Motore MOSFET.

WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

MOSFET Parameteren

Symbol

Parameter

Bewäertung

Unitéiten

VDS

Drain-Source Volt

40

V

VGS

Gate-Source Spannung

±20

V

ID@TC= 25

Continuous Drain Current, VGS@10V

76

A

ID@TC= 100

Continuous Drain Current, VGS@10V

33

A

IDM

Pulséiert Drain aktuella

125

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energieb

31

mJ

IAS

Avalanche Aktuell

31

A

PD@Ta= 25

Total Power Dissipatioun

1.7

W

TSTG

Stockage Temperatur Beräich

-55 bis 150

TJ

Operatioun Junction Temperatur Range

-55 bis 150

 

Symbol

Parameter

Konditiounen

Min.

Typ.

Max.

Eenheet

BVDSS

Drain-Source Decompte Volt VGS= 0V, echD= 250 uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur Koeffizient Referenz op 25, echD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS=10V , ID= 12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS=4.5V , ID= 10A

---

10

15

VGS (eng)

Gate Threshold Volt VGS=VDS, echD= 250 uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS (eng)

VGS (eng)Temperatur Koeffizient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Quell Leckaktuell VDS= 32V, VGS=0V,TJ= 25

---

---

2

uA

VDS= 32V, VGS=0V,TJ= 55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leckaktuell VGS=±20 V, opDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS= 5V, echD= 20A

---

18

---

S

Rg

Gate Resistenz VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Total Gate Charge (10V) VDS= 20V, VGS= 4,5V, echD= 12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

3.0

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

1.2

---

Td (an)

Turn-On Delay Time VDD= 15V, VGEN= 10V, RG= 3.3Ω, echD= 1 A.

---

12

---

ns

Tr

Rise Time

---

5.6

---

Td (aus)

Ausschalten Verzögerungszäit

---

20

---

Tf

Hierscht Zäit

---

11

---

Cass

Input Kapazitéit VDS= 15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Output Kapazitéit

---

185

---

Crss

Ëmgedréint Transfer Kapazitéit

---

38

---


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis