WSD40120DN56 N-Kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSD40120DN56 N-Kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Part Number:WSD40120DN56 Ubidder

BVDS:40 V

ID:120 A

RDSON:1,85 mΩ 

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5X6-8


Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht

D'Spannung vum WSD40120DN56 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 120A, d'Resistenz ass 1.85mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher

E-Zigaretten MOSFET, drahtlos Opluedstatiounen MOSFET, Dronen MOSFET, medezinesch Fleg MOSFET, Auto Opluedapparater MOSFET, controllers MOSFET, digital Produiten MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsument elektronesch MOSFET.

WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET.PH48.PJ MOSFET.PH48 Q544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

MOSFET Parameteren

Symbol

Parameter

Bewäertung

Unitéiten

VDS

Drain-Source Volt

40

V

VGS

Gate-Source Spannung

±20

V

ID@TC= 25

Continuous Drain Current, VGS@10V1, 7

120

A

ID@TC= 100

Continuous Drain Current, VGS@10V1, 7

100

A

IDM

Pulséiert Drain aktuell2

400

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energie3

240

mJ

IAS

Avalanche Aktuell

31

A

PD@TC= 25

Total Power Dissipatioun4

104

W

TSTG

Stockage Temperatur Beräich

-55 bis 150

TJ

Operatioun Junction Temperaturbereich

-55 bis 150

 

Symbol

Parameter

Konditiounen

Min.

Typ.

Max.

Eenheet

BVDSS

Drain-Source Decompte Volt VGS= 0V, echD= 250 uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur Koeffizient Referenz op 25, echD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS=10V , ID= 30A

---

1,85

2.4

mΩ

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS=4.5V , ID= 20A

---

2.5

3.3

VGS (eng)

Gate Threshold Volt VGS=VDS, echD= 250 uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS (eng)

VGS (eng)Temperatur Koeffizient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Quell Leckaktuell VDS= 32V, VGS=0V,TJ= 25

---

---

2

uA

VDS= 32V, VGS=0V,TJ= 55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leckaktuell VGS=±20 V, opDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS= 5V, echD= 20A

---

55

---

S

Rg

Gate Resistenz VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Total Gate Charge (10V) VDS= 20V, VGS= 10V, echD= 10A

---

76

91

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

12

14.4

Qgd

Gate-Drain Charge

---

15.5

18.6

Td (an)

Turn-On Delay Time VDD= 30V, VGEN= 10V, RG=1Ω, echD=1A,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Rise Time

---

10

12

Td (aus)

Ausschalten Verzögerungszäit

---

58

69

Tf

Hierscht Zäit

---

34

40

Cass

Input Kapazitéit VDS= 20V, VGS=0V, f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Output Kapazitéit

---

690

---

Crss

Ëmgedréit Transfer Kapazitéit

---

370

---


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis