WSD30L88DN56 Dual P-Channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSD30L88DN56 Ubidder

BVDS:30 V

RDSON:11,5 mΩ

ID:-49 A

Kanal:Dual P-Kanal

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSD30L88DN56 MOSFET ass -30V, de Stroum ass -49A, d'Resistenz ass 11.5mΩ, de Kanal ass Dual P-Kanal, an de Package ass DFN5 * 6-8.

Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

D'WSD30L88DN56 ass den héchste Leeschtung Trench Dual P-Ch MOSFET mat extrem héich Zell Dicht, déi excellent RDSON a Gate charge fir déi meescht vun der Synchron-Buck Converter Uwendungen ubitt. De WSD30L88DN56 entsprécht der RoHS a Green Produkt Ufuerderung 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie ， Super Low Gate Charge ， Excellent CdV / dt Effekt Réckgang ， 100% EAS garantéiert ， Gréng Gerät verfügbar.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchron, Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autoslader, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

AOS

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	-30	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	-120	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	68	mJ
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	40	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150	℃