WSD3023DN56 N-Ch an P-Kanal 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD3023DN56 N-Ch and P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Featured Image

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSD3023DN56 Ubidder

BVDS:30V/-30V

RDSON:14 mΩ/23 mΩ

ID:14A/-12A

Kanal:N-Ch an P-Channel

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSD3023DN56 MOSFET ass 30V/-30V, de Stroum ass 14A/-12A, d'Resistenz ass 14mΩ/23mΩ, de Kanal ass N-Ch a P-Channel, an de Package ass DFN5 * 6-8.

Uwendungen:Dronen, Motoren, Automobilelektronik, grouss Apparater.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSD3023DN56 ass déi héchst Leeschtung Trench N-ch a P-ch MOSFETs mat extrem héijer Zell Dicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubidden.De WSD3023DN56 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Fortgeschratt High Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Excellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchronous Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Netzwierk DC-DC Power System, CCFL Back-Light Inverter, Dronen, Motoren, Automobilelektronik, grouss Apparater.

entspriechend Material Zuel

PANJIT PJQ5606

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung		Unitéiten
Symbol	Parameter	N-Ch	P-Ch	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	30	-30	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	± 20	V
ID	Continuous Drain Current, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Continuous Drain Current, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	Pulsdrain Stroum getest, VGS(NP) = 10V	48	-48	A
EAS c	Avalanche Energie, Eenzelpuls, L=0,5mH	20	20	mJ
IAS c	Lawinestroum, Eenzelpuls, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Total Power Dissipation, Ta = 25 ℃	5.25	5.25	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 175	-55 bis 175	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	175	175	℃
RqJA b	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient, Steady State	60	60	℃/W
RqJC	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Fall, Steady State	6.25	6.25	℃/W

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Statesch Drain-Source On-Resistenz	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Statesch Drain-Source On-Resistenz	VGS=4.5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Total Gate Charge	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Gate-Source Charge		---	1.0	---
Qgde	Gate-Drain Charge		---	2.8	---
Td(an)e	Turn-On Delay Time	VDD=15V, RL=15R, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Rise Time		---	8.6	---
Td(off)e	Ausschalten Verzögerungszäit		---	16	---
Tfe	Hierscht Zäit		---	3.6	---
Cisse	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	545	---	pF
Koss	Output Kapazitéit		---	95	---
Crsse	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	55	---