WSD30150ADN56 N-Kanal 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSD30150ADN56 N-Kanal 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Part Number:WSD30150ADN56

BVDS:30 V

ID:145 A

RDSON:2,2mΩ 

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5X6-8


Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht

D'Spannung vum WSD30150DN56 MOSFET ass 30V, de Stroum ass 150A, d'Resistenz ass 1.8mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher

E-Zigaretten MOSFET, tradlos Opluedstatiounen MOSFET, Drohnen MOSFET, medezinesch Fleg MOSFET, Auto Opluedapparater MOSFET, controllers MOSFET, digital Produiten MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsument elektronesch MOSFET.

WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen

AOS MOSFET AON6512,AONS3234.

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.

MOSFET Parameteren

Symbol

Parameter

Bewäertung

Unitéiten

VDS

Drain-Source Volt

30

V

VGS

Gate-Source Spannung

±20

V

ID@TC= 25

Continuous Drain Current, VGS@10V1, 7

150

A

ID@TC= 100

Continuous Drain Current, VGS@10V1, 7

83

A

IDM

Pulséiert Drain aktuell2

200

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energie3

125

mJ

IAS

Avalanche Aktuell

50

A

PD@TC= 25

Total Power Dissipatioun4

62,5

W

TSTG

Stockage Temperatur Beräich

-55 bis 150

TJ

Operatioun Junction Temperatur Range

-55 bis 150

 

Symbol

Parameter

Konditiounen

Min.

Typ.

Max.

Eenheet

BVDSS

Drain-Source Decompte Volt VGS= 0V, echD= 250 uA

30

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur Koeffizient Referenz op 25, echD= 1 mA

---

0,02

---

V/

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS= 10V, echD= 20A

---

1.8

2.4 mΩ
VGS= 4,5V, echD= 15A  

2.4

3.2

VGS (eng)

Gate Threshold Volt VGS=VDS, echD= 250 uA

1.4

1.7

2.5

V

VGS (eng)

VGS (eng)Temperatur Koeffizient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Quell Leckaktuell VDS= 24V, VGS=0V,TJ= 25

---

---

1

uA

VDS= 24V, VGS=0V,TJ= 55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leckaktuell VGS=±20 V, opDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS= 5V, echD= 10A

---

27

---

S

Rg

Gate Resistenz VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

Total Gate Charge (4.5V) VDS= 15V, VGS= 4,5V, echD= 30A

---

26

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

9.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11.4

---

Td (an)

Turn-On Delay Time VDD= 15V, VGEN= 10V, RG=6Ω, echD=1A, RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Rise Time

---

12

---

Td (aus)

Ausschalten Verzögerungszäit

---

69

---

Tf

Hierscht Zäit

---

29

---

Cass

Input Kapazitéit VDS= 15V, VGS=0V, f=1MHz 2560 3200

3850

pF

Coss

Output Kapazitéit

560

680

800

Crss

Ëmgedréint Transfer Kapazitéit

260

320

420


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis