WSD30140DN56 N-Kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSD30140DN56 Ubidder

BVDS:30 V

RDSON:1,7mΩ

ID:85 A

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSD30140DN56 MOSFET ass 30V, de Stroum ass 85A, d'Resistenz ass 1.7mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5 * 6-8.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, digital Produkter, kleng Apparater, Konsumentelektronik, asw.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSD30140DN56 ass den héchste Leeschtung Trench N-Kanal MOSFET mat ganz héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt. WSD30140DN56 entsprécht RoHS a gréng Produit Ufuerderunge, 100% EAS Garantie, voll Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, ultra-niddereg Gate charge, excellent CdV / dt Effekt attenuation, 100% EAS Garantie, gréng Geräter verfügbar

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchroniséierung, Buck Konverter, vernetzt DC-DC Kraaftsystemer, elektresch Toolapplikatiounen, elektronesch Zigaretten, drahtlos Laden, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladung, Controller, Digital Produkter, kleng Apparater, Konsumentelektronik

entspriechend Material Zuel

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. OP NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG Fotoen INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	30	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	300	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	50	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	11.4	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Rise Time		---	6	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	38,5	---
Tf	Hierscht Zäit		---	10	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	1280	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	160	---