WSD25280DN56G N-Channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSD25280DN56G N-Channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Part Number:WSD25280DN56G Fotoen

BVDS:25 V

ID:280 A

RDSON:0,7mΩ 

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5X6-8


Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht

D'Spannung vum WSD25280DN56G MOSFET ass 25V, de Stroum ass 280A, d'Resistenz ass 0.7mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher

Héich Frequenz Point-of-Load Synchron,Buck Converter,Vernetzung DC-DC Power System,Power Tool Applikatioun,E-Zigaretten MOSFET, drahtlos Laden MOSFET, Dronen MOSFET, medizinesch Versuergung MOSFET, Autoslader MOSFET, Controller MOSFET, digital Produkter MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsumentelektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen

Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.

MOSFET Parameteren

Symbol

Parameter

Bewäertung

Unitéiten

VDS

Drain-Source Volt

25

V

VGS

Gate-Source Spannung

±20

V

ID@TC= 25

Kontinuéierlech Drain aktuellD'Käschte vum Aktien Silicon Limited)1, 7

280

A

ID@TC= 70

Continuous Drain Current (Silicon Limited)1, 7

190

A

IDM

Pulséiert Drain aktuell2

600

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energie3

1200

mJ

IAS

Avalanche Aktuell

100

A

PD@TC= 25

Total Power Dissipatioun4

83

W

TSTG

Stockage Temperatur Beräich

-55 bis 150

TJ

Operatioun Junction Temperaturbereich

-55 bis 150

 

Symbol

Parameter

Konditiounen

Min.

Typ.

Max.

Eenheet

BVDSS

Drain-Source Decompte Volt VGS= 0V, echD= 250 uA

25

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur Koeffizient Referenz op 25, echD= 1 mA

---

0,022

---

V/

RDS(ON)

Statesch Drain-Source On-Resistenz2 VGS= 10V, echD= 20A

---

0.7

0.9 mΩ
VGS= 4.5V, echD= 20A

---

1.4

1.9

VGS (eng)

Gate Threshold Volt VGS=VDS, echD= 250 uA

1.0

---

2.5

V

VGS (eng)

VGS (eng)Temperatur Koeffizient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Quell Leckaktuell VDS= 20V, VGS=0V,TJ= 25

---

---

1

uA

VDS= 20V, VGS=0V,TJ= 55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leckaktuell VGS=±20 V, opDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS= 5V, echD= 10A

---

40

---

S

Rg

Gate Resistenz VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Total Gate Charge (4.5V) VDS= 15V, VGS= 4.5V, echD= 20A

---

72

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

18

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

24

---

Td (an)

Turn-On Delay Time VDD= 15V, VGEN= 10V,RG=1Ω, echD= 10A

---

33

---

ns

Tr

Rise Time

---

55

---

Td (aus)

Ausschalten Verzögerungszäit

---

62

---

Tf

Hierscht Zäit

---

22

---

Cass

Input Kapazitéit VDS= 15V, VGS=0V, f=1MHz

---

7752

---

pF

Coss

Output Kapazitéit

---

1120

---

Crss

Ëmgedréit Transfer Kapazitéit

---

650

---

 

 


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis