WSD20L120DN56 P-Kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSD20L120DN56 Ubidder

BVDS:-20 V

RDSON:2,1mΩ

ID:-120 A

Kanal:P-Kanal

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:De MOSFET WSD20L120DN56 funktionnéiert bei -20 Volt an zitt e Stroum vun -120 Ampere. Et huet eng Resistenz vun 2,1 Milliohms, e P-Kanal, a kënnt an engem DFN5 * 6-8 Package.

Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Dronen, medizinescht Ausrüstung, Autosladere, Controller, digital Geräter, kleng Apparater a Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSD20L120DN56 ass en Top-Performance P-Ch MOSFET mat enger héijer Dicht Zellstruktur, déi super RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter benotzt. De WSD20L120DN56 entsprécht 100% EAS Ufuerderunge fir RoHS an ëmweltfrëndlech Produkter, mat voller Funktioun Zouverlässegkeet Genehmegung.

Fonctiounen

1, Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie
2, Super Low Gate Charge
3, Excellent CdV / dt Effekt Réckgang
4, 100% EAS garantéiert 5, Gréng Gerät verfügbar

Uwendungen

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigarette, Wireless Charger, Motors, Drones, Medical, Car Charger, Controller, Digital Products, Kleng Hausgeräter, Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung		Unitéiten
Symbol	Parameter	10s	Steady Staat	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	-20		V
VGS	Gate-Source Volt	± 10		V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	-340		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	300		mJ
IAS	Avalanche Aktuell	-36		A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	130		W
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation 4	6.8	6.25	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150		℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150		℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = -1mA	---	-0.0212	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS, ID =-250uA	-0.4	-0,6	-1.0	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	21	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	32	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A,RL=0.5Ω	---	20	---	ns
Tr	Rise Time		---	50	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	100	---
Tf	Hierscht Zäit		---	40	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	380	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	290	---