WSD2090DN56 N-Kanal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSD2090DN56

BVDS:20 V

RDSON:2,8mΩ

ID:80 A

Kanal:N-Kanal

Package:DFN5*6-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSD2090DN56 MOSFET ass 20V, de Stroum ass 80A, d'Resistenz ass 2.8mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5 * 6-8.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, Dronen, elektresch Tools, Fascia Waffen, PD, kleng Haushaltsapparater, asw.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSD2090DN56 ass den héchste Leeschtung Trench N-Ch MOSFET mat extrem héijer Zell Dicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubidden. De WSD2090DN56 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, exzellent CDV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar

Uwendungen

Switch, Power System, Load Switch, elektronesch Zigaretten, Dronen, elektresch Tools, Fascia Waffen, PD, kleng Haushaltsapparater, asw.

entspriechend Material Zuel

AOS AON6572

Wichteg Parameteren

Absolut maximal Bewäertungen (TC = 25 ℃ wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Max.	Unitéiten
VDSS	Drain-Source Volt	20	V
VGSS	Gate-Source Volt	±12	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Pulséiert Drain Aktuell Notiz 1	360	A
EAS	Single Pulséiert Avalanche Energy Note2	110	mJ
PD	Power Dissipatioun	81	W
RθJA	Thermesch Resistenz, Kräizung zu Fall	65	℃/W
RθJC	Thermal Resistance Junction-Case 1	4	℃/W
TJ, TT	Operatiouns- a Lagertemperaturbereich	-55 bis +175	℃

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min	Typ	Max	Unitéiten
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VDS= VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistenz	VGS=4.5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistenz	VGS=2.5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell	VDS=20V, VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Gate-Kierper Leckaktuell	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	460	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	446	---
Qg	Total Gate Charge	VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.73	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.1	---
tD (an)	Opzemaachen Verzögerung Time	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Opzemaachen Rise Time		---	37	---
tD (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	63	---
tf	Ausschalten Hierscht Zäit		---	52	---
VSD	Diode Forward Volt	IS=7.6A, VGS=0V	---	---	1.2	V