WSD100N06GDN56 N-Kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET Produit Iwwersiicht
D'Spannung vum WSD100N06GDN56 MOSFET ass 60V, de Stroum ass 100A, d'Resistenz ass 3mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET Applikatioun Beräicher
Medizinesch Energieversuergung MOSFET, PDs MOSFET, Dronen MOSFET, elektronesch Zigaretten MOSFET, grouss Apparater MOSFET, a Kraaftinstrumenter MOSFET.
WINSOK MOSFET entsprécht aner Mark Material Zuelen
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFXET PDC69.
MOSFET Parameteren
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Unitéiten | ||
| VDS | Drain-Source Volt | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Volt | ± 20 | V | ||
| ID1, 6 | Kontinuéierlech Drain aktuell | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Pulséiert Drain aktuell | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod | 45 | A | ||
| EAS3 | Single Pulse Avalanche Energie | 101 | mJ | ||
| TJ | Maximal Kräizung Temperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Stockage Temperatur Beräich | -55 bis 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Thermesch Resistenz Kräizung zu ambient | Steady Staat | 55 | ℃/W | |
| Rθ JC1 | Thermesch Resistenz-Kräizung zu Fall | Steady Staat | 1.5 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Eenheet | |
| Statesch | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Decompte Volt | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Volt Drain aktuell | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ= 85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Leckaktuell | VGS = ±20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
| Op Charakteristiken | |||||||
| VGS(TH) | Gate Threshold Volt | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS (an)2 | Drain-Quell Op-Staat Resistenz | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Wiesselen | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 30V VGS = 10V ID = 20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sauer Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 4.0 | nC | ||||
| td (an) | Opzemaachen Verzögerung Time | VGEN = 10V VDD = 30V ID = 20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Opzemaachen Rise Time | 8 | ns | ||||
| td (aus) | Ausschalten Verzögerungszäit | 50 | ns | ||||
| tf | Ausschalten Fall Time | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat Resistenz | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0.7 | Ω | |||
| Dynamesch | |||||||
| Ciss | An der Kapazitéit | VGS = 0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Eraus Kapazitéit | 1522 | pF | ||||
| Crss | Ëmgedréit Transfer Kapazitéit | 22 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Charakteristiken a maximal Bewäertungen | |||||||
| IS1,5 | Kontinuéierlech Quell aktuell | VG=VD=0V , Kraaftstroum | 55 | A | |||
| ISM | Pulséiert Quell aktuell 3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diode Forward Volt | ISD = 1A, VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Ëmgedréint Erhuelung Zäit | ISD= 20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
