NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH N-Channel DFN5X6-8 MOSFETs
MOSFET Produkt Iwwersiicht
Onsem NTMFS6B14N
VISHAY SiR84DP SiR87ADP
INFINEON IR BSC19N1NS3G
Spezifikatioune vun TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH
entspriechend Material Zuel
D'Spannung BVDSS vum WINSOK WSD60N10GDN56 FET ass 100V, de Stroum ass 60A, d'Resistenz ass 8.5mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass DFN5X6-8.
MOSFET Applikatioun Felder
E-Zigaretten MOSFET, Wireless Opluedstatiounen MOSFET, Motore MOSFET, Drohnen MOSFET, medezinesch Fleg MOSFET, Auto Opluedapparater MOSFET, controllers MOSFET, digital Produiten MOSFET, kleng Haushaltsapparater MOSFET, Konsument elektronesch MOSFET.
Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis
