-
Olukey: Loosst eis iwwer d'Roll vum MOSFET an der Basisarchitektur vum schnelle Laden schwätzen
D'Basis Energieversuergung Struktur vun séier Opluedstatiounen QC benotzt flyback + Secondaire Säit (sekundär) Synchron- rectification SSR. Fir Flyback-Konverter, laut der Feedback-Samplingmethod, kann et opgedeelt ginn: primär Säit (prima ...Liest méi -
Wéi vill wësst Dir iwwer MOSFET Parameteren? OLUKEY analyséiert et fir Iech
"MOSFET" ass d'Ofkierzung vum Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Et ass en Apparat aus dräi Materialien: Metall, Oxid (SiO2 oder SiN) an Hallefleit. MOSFET ass ee vun de meescht Basis Geräter am Halbleiterfeld. ...Liest méi -
Wéi wielen ech MOSFET?
Viru kuerzem, wa vill Clienten op Olukey kommen fir iwwer MOSFETs ze konsultéieren, stellen se eng Fro, wéi e passende MOSFET ze wielen? Wat dës Fro ugeet, Olukey wäert et fir jiddereen äntweren. Als éischt musse mir de Prënz verstoen ...Liest méi -
Aarbechtsprinzip vum N-Kanal Verbesserungsmodus MOSFET
(1) D'Kontrolleffekt vu vGS op ID a Kanal ① Fall vu vGS = 0 Et kann gesi ginn datt et zwee Réck-zu-Réck-PN-Kräizungen tëscht dem Drain d a Quelle vum Verbesserungsmodus MOSFET sinn. Wann d'Gatequell Spannung vGS = 0, och wann d'...Liest méi -
D'Relatioun tëscht MOSFET Verpackungen a Parameteren, wéi FET's mat passenden Verpakung ze wielen
①Plug-in Verpackung: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ② Surface Mount Typ: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Verschidde Verpackungsformen, déi entspriechend Limitstroum, Spannung an Wärmevergëftungseffekt vu MO ...Liest méi -
Wat bedeiten déi dräi Pins G, S, an D vum verpackte MOSFET?
Dëst ass e verpackte MOSFET pyroelektresche Infraroutsensor. De rechteckege Frame ass d'Senséierfenster. De G Pin ass de Buedemterminal, den D Pin ass den internen MOSFET Drain, an de S Pin ass déi intern MOSFET Quell. Am Circuit, ...Liest méi -
D'Wichtegkeet vu Kraaft MOSFET an der Motherboard Entwécklung an Design
Als éischt ass de Layout vun der CPU Socket ganz wichteg. Et muss genuch Plaz sinn fir den CPU Fan z'installéieren. Wann et ze no beim Rand vum Motherboard ass, wäert et schwéier sinn den CPU Heizkierper an e puer Fäll z'installéieren wou de ...Liest méi -
Kuerz iwwer d'Produktiounsmethod vun engem High-Power MOSFET Wärmevergëftungsapparat schwätzen
Spezifesch Plang: e High-Power MOSFET Wärmevergëftungsapparat, inklusiv engem huel Strukturgehäuse an e Circuit Board. De Circuit Verwaltungsrot ass am casing arrangéiert. Eng Zuel vu Side-by-Side MOSFETs si mat béiden Enden vum Circuit ugeschloss ...Liest méi -
FET DFN2X2 Package Single P-Channel 20V-40V Model arrangement_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L Package, Single P-Kanal FET, Spannung 20V-40V Modeller sinn wéi follegt zesummegefaasst: 1. Modell: WSD8823DN22 Single P Channel -20V -3.4A, intern Resistenz 60mΩ Entspriechend Modeller: AOS: AON Semiconductor: FONDM2403: ...Liest méi -
Detailléiert Erklärung vum Aarbechtsprinzip vu High Power MOSFET
Héichkraaft MOSFETs (Metalloxid-Hallefleiter Feldeffekt Transistoren) spillen eng wichteg Roll an der moderner elektronescher Ingenieur. Dësen Apparat ass en onverzichtbare Bestanddeel an der Kraaftelektronik a High-Power Uwendungen ginn wéinst der ...Liest méi -
Verstinn den Aarbechtsprinzip vu MOSFET a benotzt elektronesch Komponenten méi effizient
D'Operatiounsprinzipien vu MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) ze verstoen ass entscheedend fir effektiv dës héicheffizient elektronesch Komponenten ze benotzen. MOSFETs sinn onverzichtbar Elementer an elektroneschen ...Liest méi -
Verstinn MOSFET an engem Artikel
Power Semiconductor Geräter gi wäit an der Industrie, Konsum, Militär an aner Felder benotzt an hunn eng héich strategesch Positioun. Loosst eis d'Gesamtbild vu Stroumapparater aus engem Bild kucken: ...Liest méi
