De Metal-Oxid-Halbleiter Feldeffekt Transistor (MOSFET, MOS-FET oder MOS FET) ass eng Zort Feldeffekt Transistor (FET), déi meeschtens duerch déi kontrolléiert Oxidatioun vu Silizium fabrizéiert gëtt. Et huet en isoléiert Paart, d'Spannung vun deem d'Konduktivitéit vum Apparat bestëmmt.
Seng Haaptfunktioun ass datt et eng Siliziumdioxid-Isoléierschicht tëscht dem Metallpaart an dem Kanal ass, sou datt et eng héich Inputresistenz huet (bis zu 1015Ω). Et ass och an N-Kanal Rouer a P-Kanal Rouer opgedeelt. Normalerweis sinn de Substrat (Substrat) an d'Quell S matenee verbonnen.
Geméiss verschiddene Leitungsmodi sinn MOSFETs an d'Verbesserungstyp an d'Ausarmungstyp opgedeelt.
De sougenannte Verbesserungstyp heescht: wann VGS = 0, ass de Rouer an engem ofgeschniddene Staat. Nodeems Dir de richtege VGS bäigefüügt huet, ginn déi meescht Carrièren un d'Paart ugezunn, sou datt d'Carrière an dësem Beräich "verbessert" an e konduktiven Kanal bilden. .
Den Ausarmmodus bedeit datt wann VGS = 0, e Kanal geformt gëtt. Wann de richtege VGS bäigefüügt ass, kënnen déi meescht Carrièren aus dem Kanal fléien, sou datt d'Carrièren "ausgeschalt" ginn an d'Röhre ausschalten.
D'Ursaach z'ënnerscheeden: D'Inputresistenz vum JFET ass méi wéi 100MΩ, an d'Transkonduktanz ass ganz héich, wann d'Paart gefouert gëtt, ass den Indoor Raummagnetescht Feld ganz einfach d'Aarbechtsspannungsdatensignal um Gate z'entdecken, sou datt d'Pipeline tendéiert sinn bis, oder éischter on-off. Wann d'Kierperinduktiounsspannung direkt un d'Paart bäigefüügt gëtt, well d'Schlëssel elektromagnetesch Interferenz staark ass, wäert déi uewe genannte Situatioun méi bedeitend sinn. Wann de Meter Nadel deflects schaarf no lénks, et heescht, datt d'Pipeline éischter bis zu, der Drain-Quell Resistor RDS expandéiert, an der Quantitéit vun Drain-Quell Stroum reduzéiert IDS. Ëmgekéiert béit d'Meter Nadel schaarf no riets of, wat beweist datt d'Pipeline éischter on-off ass, RDS geet erof, an IDS geet erop. Wéi och ëmmer, déi exakt Richtung, an där d'Meternadel ofgeleet gëtt, sollt vun de positiven an negativen Pole vun der induzéierter Spannung ofhänken (Positiv Richtung Aarbechtsspannung oder Ëmgedréint Aarbechtsspannung) an dem Aarbechtsmëttelpunkt vun der Pipeline.
WINSOK DFN3x3 MOSFET
Huelt den N-Kanal als Beispill, gëtt et op engem P-Typ Siliziumsubstrat mat zwee héich dotéierte Quelle-Diffusiounsregiounen N+ an Drain-Diffusiounsregiounen N+ gemaach, an dann d'Quellelektrode S an d'Drain-Elektrode D resp. D'Quell an de Substrat sinn intern verbonnen, a si behalen ëmmer datselwecht Potenzial. Wann d'Drain un de positiven Terminal vun der Energieversuergung verbonnen ass an d'Quell un den negativen Terminal vun der Energieversuergung verbonnen ass a VGS = 0, de Kanalstroum (dh Drainstroum) ID = 0. Wéi de VGS graduell eropgeet, ugezunn vun der positiver Paartspannung, ginn negativ gelueden Minoritéitsträger tëscht den zwou Diffusiounsregiounen induzéiert, a bilden en N-Typ Kanal vum Drain op d'Quell. Wann VGS méi grouss ass wéi d'Aanschaltspannung VTN vum Rouer (normalerweis ongeféier +2V), fänkt den N-Kanal Rouer un ze féieren, a bildt eng Drainstroum ID.
VMOSFET (VMOSFET), säi ganzen Numm ass V-Groove MOSFET. Et ass en nei entwéckelt héicheffizient Kraaftschaltapparat nom MOSFET. Et ierft net nëmmen déi héich Inputimpedanz vum MOSFET (≥108W), awer och de klenge Fuerstroum (ongeféier 0.1μA). Et huet och exzellent Charakteristiken wéi héich Widderstandspannung (bis zu 1200V), grousse Betribsstroum (1,5A ~ 100A), héich Ausgangskraaft (1 ~ 250W), gutt Transkonduktanzen Linearitéit, a séier Schaltgeschwindegkeet. Genau well et d'Virdeeler vun Vakuumröhre a Kraafttransistoren kombinéiert, gëtt et wäit an Spannungsverstärker benotzt (Spannungsverstärker kann Dausende vun Mol erreechen), Kraaftverstärker, Schaltkraaftversuergung an Inverter.
Wéi mir all wëssen, sinn d'Paart, d'Quell an d'Drain vun engem traditionelle MOSFET ongeféier op der selwechter horizontaler Fliger um Chip, a säi Betribsstroum fléisst am Fong an der horizontaler Richtung. De VMOS Tube ass anescht. Et huet zwee grouss strukturell Fonctiounen: éischtens, der Metal Paart adoptéiert engem V-gebuerene Groove Struktur; zweetens, et huet vertikal Leitung. Well d'Drain aus de Réck vun der Chip gezunn ass, fléisst ID net horizontal laanscht den Chip, mee fänkt aus der staark dotéiert N + Regioun (Quell S) a fléisst an der liicht dotéiert N-drift Regioun duerch de P Kanal. Schlussendlech erreecht et vertikal no ënnen ze drain D. Well de Flux Querschnitt Beräich vergréissert, grouss Stréimunge kënnen duerch. Zënter datt et eng Siliziumdioxid-Isoléierschicht tëscht dem Paart an dem Chip ass, ass et nach ëmmer en isoléiert Gate MOSFET.
Virdeeler vum Gebrauch:
MOSFET ass e Spannungskontrolléiert Element, wärend den Transistor e Stroumkontrolléiert Element ass.
MOSFETs solle benotzt ginn, wann nëmmen eng kleng Quantitéit vun aktuell ass erlaabt aus der Signal Quell ze zéien; Transistoren solle benotzt ginn wann d'Signalspannung niddereg ass a méi Stroum erlaabt ass aus der Signalquell ze zéien. MOSFET benotzt Majoritéit Carrier fir Elektrizitéit ze féieren, sou datt et en unipolaren Apparat genannt gëtt, wärend Transistoren souwuel Majoritéit Carrier wéi och Minoritéit Carrier benotze fir Elektrizitéit ze féieren, sou datt et e bipolar Apparat genannt gëtt.
D'Quell an d'Drain vun e puer MOSFETs kënnen austauschbar benotzt ginn, an d'Paartspannung kann positiv oder negativ sinn, wat se méi flexibel mécht wéi Trioden.
MOSFET kann ënner ganz klenge Stroum a ganz niddrege Spannungsbedéngungen operéieren, a säi Fabrikatiounsprozess ka vill MOSFETs op engem Silizium Chip integréieren. Dofir gouf MOSFET wäit a grousser integréierte Circuiten benotzt.
Olueky SOT-23N MOSFET
Déi jeweileg Applikatiounseigenschaften vum MOSFET an dem Transistor
1. D'Quell s, Gate g an Drain d vum MOSFET entspriechen dem Emitter e, Basis b, a Sammler c vum Transistor respektiv. Hir Funktiounen sinn ähnlech.
2. MOSFET ass e Spannungskontrolléierte Stroumapparat, iD gëtt vu vGS kontrolléiert, a seng Verstärkungskoeffizient gm ass allgemeng kleng, sou datt d'Verstäerkungsfäegkeet vum MOSFET schlecht ass; den Transistor ass e Stroumkontrolléiert Stroumapparat, an iC gëtt vun iB (oder iE) kontrolléiert.
3. De MOSFET-Paart zitt bal kee Stroum (ig»0); wärend d'Basis vum Transistor ëmmer e gewësse Stroum zitt wann den Transistor funktionnéiert. Dofir ass d'Gate-Inputresistenz vum MOSFET méi héich wéi d'Inputresistenz vum Transistor.
4. MOSFET besteet aus Multicarrieren déi an der Leedung involvéiert sinn; Transistoren hunn zwee Carrier, Multicarrier a Minoritéit Carrier, déi an der Leedung involvéiert sinn. D'Konzentratioun vu Minoritéitsdréier gëtt staark vu Faktore wéi Temperatur a Stralung beaflosst. Dofir hunn MOSFETs besser Temperaturstabilitéit a méi staark Stralungsresistenz wéi Transistoren. MOSFETs solle benotzt ginn wou Ëmweltbedéngungen (Temperatur, etc.) staark variéieren.
5. Wann d'Quellmetall an de Substrat vum MOSFET matenee verbonne sinn, kann d'Quell an d'Drain austauschbar benotzt ginn, an d'Charakteristiken änneren wéineg; wärend wann de Sammler an den Emitter vun der Triode austauschbar benotzt ginn, sinn d'Charakteristiken ganz anescht. De β Wäert wäert vill reduzéiert ginn.
6. De Kaméidi Koeffizient vun MOSFET ass ganz kleng. MOSFET soll sou vill wéi méiglech an der Input Etapp vun niddereg-Kaméidi amplifier Kreesleef a Kreesleef benotzt ginn, datt eng héich Signal-ze-Geräusch Verhältnis verlaangen.
7. Béid MOSFET an Transistor kënne verschidde Verstärkerkreesser a Schaltkreesser bilden, awer de fréiere huet en einfachen Fabrikatiounsprozess an huet d'Virdeeler vum nidderegen Energieverbrauch, gutt thermesch Stabilitéit, a breet Operatiounsspannungsspannungsbereich. Dofir gëtt et vill a grousser a ganz grousser integréierter Circuits benotzt.
8. Den Transistor huet eng grouss On-Resistenz, während de MOSFET eng kleng On-Resistenz huet, nëmmen e puer honnert mΩ. An aktuellen elektreschen Apparater ginn MOSFETs allgemeng als Schalter benotzt, an hir Effizienz ass relativ héich.
WINSOK SOT-323 encapsulation MOSFET
MOSFET vs bipolare Transistor
MOSFET ass e Spannungskontrolléierten Apparat, an de Paart hëlt am Fong kee Stroum, während en Transistor e Stroumkontrolléiert Apparat ass, an d'Basis muss e gewësse Stroum huelen. Dofir, wann de bewäerten Stroum vun der Signalquell extrem kleng ass, sollt MOSFET benotzt ginn.
MOSFET ass e Multi-Carrier Dirigent, wärend béid Träger vun engem Transistor un der Leedung deelhuelen. Zënter datt d'Konzentratioun vu Minoritéitsdréier ganz empfindlech ass fir extern Bedéngungen wéi Temperatur a Stralung, ass MOSFET méi gëeegent fir Situatiounen wou d'Ëmwelt staark ännert.
Zousätzlech fir als Verstärkergeräter a kontrolléierbar Schalter wéi Transistoren benotzt ze ginn, kënnen MOSFETs och als Spannungskontrolléiert variabel linear Widderstand benotzt ginn.
D'Quell an d'Drain vum MOSFET si symmetresch a Struktur a kënnen austauschbar benotzt ginn. D'Gate-Quell Spannung vum Ausarmmodus MOSFET kann positiv oder negativ sinn. Dofir ass d'Benotzung vun MOSFETs méi flexibel wéi Transistoren.
Post Zäit: Okt-13-2023
