Viru kuerzem, wa vill Clienten op Olukey kommen fir iwwer MOSFETs ze konsultéieren, stellen se eng Fro, wéi e passende MOSFET ze wielen? Wat dës Fro ugeet, Olukey wäert et fir jiddereen äntweren.
Als éischt musse mir de Prinzip vum MOSFET verstoen. D'Detailer vum MOSFET ginn am Detail am virege Artikel "Wat ass MOS Field Effect Transistor" agefouert. Wann Dir nach ëmmer onkloer sidd, kënnt Dir et als éischt léieren. Einfach gesot, MOSFET gehéiert zu Spannungskontrolléierten Hallefleitkomponenten hunn d'Virdeeler vun héijer Inputresistenz, geréngem Kaméidi, nidderegen Energieverbrauch, grousst dynamescht Beräich, einfach Integratioun, kee sekundären Decompte, a grousse séchere Betribsberäich.
Also, wéi solle mir déi richteg wielenMOSFET?
1. Bestëmmen ob N-Kanal oder P-Kanal MOSFET ze benotzen
Als éischt sollte mir als éischt bestëmmen ob mir N-Kanal oder P-Kanal MOSFET benotzen, wéi hei ënnendrënner:
Wéi aus der Figur hei uewen gesi ka ginn, ginn et offensichtlech Differenzen tëscht N-Kanal a P-Kanal MOSFETs. Zum Beispill, wann e MOSFET gegrënnt ass an d'Laascht mat der Filialspannung ugeschloss ass, bildt de MOSFET en Héichspannungssäitschalter. Zu dëser Zäit soll en N-Kanal MOSFET benotzt ginn. Ëmgekéiert, wann de MOSFET mam Bus ugeschloss ass an d'Laascht op de Buedem ass, gëtt e Low-Side Schalter benotzt. P-Kanal MOSFETs ginn allgemeng an enger bestëmmter Topologie benotzt, wat och wéinst Spannungsfuerer Iwwerleeungen ass.
2. Extra Volt an extra Stroum vun MOSFET
(1). Bestëmmt déi zousätzlech Spannung erfuerderlech vum MOSFET
Zweetens, wäerte mir weider déi zousätzlech Spannung erfuerderlech fir Spannungsfuerer bestëmmen, oder déi maximal Spannung déi den Apparat akzeptéiere kann. Wat méi grouss ass déi zousätzlech Spannung vum MOSFET. Dëst bedeit datt wat méi grouss d'MOSFETVDS Ufuerderunge musse gewielt ginn, et ass besonnesch wichteg fir verschidde Miessunge a Selektiounen ze maachen baséiert op der maximaler Spannung déi de MOSFET akzeptéiere kann. Natierlech, am Allgemengen, portable Ausrüstung ass 20V, FPGA Energieversuergung ass 20 ~ 30V, an 85 ~ 220VAC ass 450 ~ 600V. De MOSFET produzéiert vu WINSOK huet staark Spannungsresistenz a breet Palette vun Uwendungen, a gëtt vun der Majoritéit vun de Benotzer favoriséiert. Wann Dir Bedierfnesser hutt, kontaktéiert w.e.g. den Online Clientsservice.
(2) Bestëmmt den zousätzleche Stroum erfuerderlech vum MOSFET
Wann d'Bewäertte Spannungsbedéngungen och ausgewielt ginn, ass et néideg de bewäerte Stroum ze bestëmmen, dee vum MOSFET erfuerderlech ass. De sougenannte bewäerte Stroum ass tatsächlech de maximale Stroum deen d'MOS-Laascht ënner all Ëmstänn widderstoen kann. Ähnlech wéi d'Spannungssituatioun, vergewëssert Iech datt de MOSFET deen Dir gewielt hutt e gewësse Betrag un extra Stroum handhaben kann, och wann de System aktuell Spikes generéiert. Zwee aktuell Konditioune fir ze berücksichtegen sinn kontinuéierlech Musteren a Pulsspikes. Am kontinuéierleche Leedungsmodus ass de MOSFET an engem stännegen Zoustand, wann de Stroum weider duerch den Apparat fléisst. Puls Spike bezitt sech op eng kleng Quantitéit u Stroum (oder Peakstroum) déi duerch den Apparat fléisst. Wann de maximale Stroum an der Ëmwelt festgeluegt ass, musst Dir nëmmen direkt en Apparat auswielen, deen e gewësse maximale Stroum widderstoen kann.
Nodeems Dir den zousätzleche Stroum gewielt hutt, muss och d'Leedungsverbrauch berücksichtegt ginn. An aktuellen Situatiounen ass MOSFET keen aktuellen Apparat, well kinetesch Energie während dem Wärmeleitungsprozess verbraucht gëtt, wat Leitungsverloscht genannt gëtt. Wann de MOSFET "on" ass, wierkt et wéi e verännerleche Widderstand, dee vum RDS (ON) vum Apparat bestëmmt gëtt a wesentlech mat der Messung ännert. De Stroumverbrauch vun der Maschinn kann duerch Iload2 × RDS (ON) berechent ginn. Zënter dem Retourresistenz ännert sech mat der Messung, wäert de Stroumverbrauch och deementspriechend änneren. Wat méi héich d'Spannung VGS op de MOSFET applizéiert gëtt, dest méi kleng wäert de RDS(ON) sinn; Ëmgekéiert, wat méi héich den RDS(ON) wäert sinn. Notéiert datt d'RDS(ON) Resistenz liicht mam Stroum erofgeet. D'Ännerunge vun all Grupp vun elektresche Parameteren fir den RDS (ON) Resistor kënnen an der Produktauswieltabel vum Hiersteller fonnt ginn.
3. Bestëmmt d'Kältefuerderunge vum System erfuerderlech
Déi nächst Bedingung fir ze beurteelen ass d'Hëtztvergëftungsfuerderunge vum System erfuerderlech. An dësem Fall mussen zwou identesch Situatioune berücksichtegt ginn, nämlech de schlëmmste Fall an déi richteg Situatioun.
Wat MOSFET Wärmevergëftung ugeet,Olukeyprioritéiert d'Léisung fir de schlëmmste Fall Szenario, well e gewëssen Effekt eng méi grouss Versécherungsmarge erfuerdert, fir datt de System net klappt. Et ginn e puer Moossdaten déi Opmierksamkeet op der MOSFET-Dateblatt brauchen; d'Kräiztemperatur vum Apparat ass gläich wéi d'maximal Konditiounsmessung plus d'Produkt vun der thermescher Resistenz a Kraaftdissipatioun (Kräiztemperatur = maximal Conditiounsmessung + [thermesch Resistenz × Kraaftdissipatioun]). Déi maximal Kraaftvergëftung vum System kann no enger bestëmmter Formel geléist ginn, déi per Definitioun d'selwecht ass wéi I2 × RDS (ON). Mir hu schonn de maximale Stroum berechent deen duerch den Apparat passéiert a kann RDS (ON) ënner verschiddene Miessunge berechnen. Zousätzlech muss d'Wärmevergëftung vum Circuit Board a seng MOSFET gesuergt ginn.
Avalanche Decompte bedeit datt d'Réckspannung op engem semi-Superleitungskomponent de maximale Wäert iwwerschreift an e staarkt Magnéitfeld bilden, dat de Stroum an der Komponent erhéicht. D'Erhéijung vun der Chipgréisst wäert d'Fäegkeet verbesseren fir de Wandkollaps ze verhënneren a schlussendlech d'Stabilitéit vun der Maschinn ze verbesseren. Dofir kann e gréissere Package auswielen effektiv Lawinen verhënneren.
4. Bestëmmen der schalt Leeschtung vun MOSFET
Déi lescht Uerteelbedingung ass d'Schaltleistung vum MOSFET. Et gi vill Faktoren déi d'Schaltleeschtung vum MOSFET beaflossen. Déi wichtegst sinn déi dräi Parameteren vun Elektroden-Drain, Elektroden-Quell an Drain-Quell. De Kondensator gëtt all Kéier wann e schalt gelueden, dat heescht datt Schaltverloschter am Kondensator geschéien. Dofir wäert d'Schaltgeschwindegkeet vum MOSFET erofgoen, sou datt d'Effizienz vum Apparat beaflosst. Dofir, am Prozess vun der Auswiel vun MOSFET, ass et och néideg de Gesamtverloscht vum Apparat während dem Schaltprozess ze beurteelen an ze berechnen. Et ass néideg de Verloscht während dem Turn-on Prozess (Eon) an de Verloscht während dem Tour-Off Prozess ze berechnen. (Eoff). D'Gesamtkraaft vum MOSFET-Schalter kann duerch déi folgend Equatioun ausgedréckt ginn: Psw = (Eon + Eoff) × Schaltfrequenz. D'Gate charge (Qgd) huet de gréissten Impakt op schalt Leeschtung.
Fir d'Zesummefaassung, fir de passenden MOSFET ze wielen, sollt dat entspriechend Uerteel aus véier Aspekter gemaach ginn: déi extra Spannung an extra Stroum vum N-Kanal MOSFET oder P-Kanal MOSFET, d'Hëtztvergëftungsfuerderunge vum Apparatsystem an d'Schaltleistung vun MOSFET.
Dat ass alles fir haut wéi Dir de richtege MOSFET wielt. Ech hoffen et kann Iech hëllefen.
Post Zäit: Dez-12-2023
