Fast Opluedstatiounen Technologie, als Kär Deel vun modern elektronesch Ausrüstung, ass séier Entwécklung an Entwécklung. Ugedriwwe vum schnelle Lademaart, fuerderen Industrien wéi Smartphones an Elektroautoen ëmmer méi séier an effizient Ladeléisungen. Innovatioun an der Schnellladungstechnologie konzentréiert sech net nëmmen op d'Verbesserung vun der Opluedgeschwindegkeet, mee ënnersträicht och d'Sécherheet. Wann Dir an d'Zukunft kuckt, gëtt d'Schnellladungstechnologie kombinéiert mat drahtlosen Laden a méi effizienter Batterietechnologie fir e qualitative Sprong z'erreechen an d'Benotzer eng méi praktesch an ëmweltfrëndlech Ladeerfahrung ze bréngen. Mat der Entwécklung vun der Technologie an der Expansioun vum Maart gëtt d'Schnellladungsindustrie erwaart fir de schnelle Wuesstum weider ze halen.
Wa mir iwwer d'Applikatioun schwätzen vunMOSFETan der séier Opluedstatioun Technologie, ginn et eigentlech e puer Kappwéi.
Éischt vun all, well séier Opluedstatiounen e grousse Stroum verlaangt, derMOSFETwäert Hëtzt ganz vill, a wéi mat dëser Hëtzt ze këmmeren gëtt e grousse Problem. Da ginn et och Effizienz Erausfuerderungen. Wann Dir séier wiesselt, verléiert de MOSFET einfach en Deel vu senger Energie, wat d'Ladeeffizienz beaflosst. Zousätzlech hofft d'Schnellladungsausrüstung esou kleng wéi méiglech ze sinn, awer dëst erfuerdert datt de MOSFET kleng ass an och mat der Hëtztproblem ëmzegoen. Well MOSFET séier schalt, kann et mat aner elektronesch Ausrüstung stéieren, wat och e Problem ass. Schlussendlech huet d'Schnellladungsëmfeld héich Ufuerderunge fir d'Spannung a Stroum vu MOSFETs ze widderstoen, wat en Test fir hir Leeschtung ass. Aarbecht an dësem Ëmfeld fir eng laang Zäit kann och hir Liewensdauer an Zouverlässegkeet Afloss. Kuerz gesot, och wann MOSFET kritesch ass fir séier Opluedstatioun, huet et vill Erausfuerderungen.
WINSOKMOSFET kann Iech hëllefen déi uewe genannte Problemer ze léisen. D'Haaptapplikatiounsmodeller vum WINSOK MOSFET beim Schnellladung sinn:
| Deel Zuel | Configuratioun | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Package | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Single | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Single | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Single | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Single | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | BIS-220 | |
Aner Mark Material Zuelen entspriechend der uewen WINSOK MOSFET sinn:
Déi entspriechend Materialnummere vu WINSOK MOSFET WSD3050DN sinn:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N.8NTFS4939N.8NTFSF4939N.8NTFSN0N.VSN Spezifikatioune vun 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Déi entspriechend Materialnummere vu WINSOK MOSFET WSD30L40DN sinn: AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA.
Déi entspriechend Materialnummeren vum WINSOK MOSFET WSP6020 sinn: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS69.
Déi entspriechend Material Zuelen vun WINSOK MOSFET WSP16N10 sinn: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Déi entspriechend Materialnummere vum WINSOK MOSFET WSP4435 sinn: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4803A, A4O4807A, A4O4807A, A4803A, 4803A, 4803A, 4803A, 4803A ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4435.
Déi entspriechend Materialnummere vum WINSOK MOSFET WSP4407 sinn: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307. Onsemi, FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS6PHLL, 6PHLL, 6PHLL, 6PHLL, 6PHLL, 6PHLL, H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Déi entspriechend Materialnummere vum WINSOK MOSFET WSP4606 sinn: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616 901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Déi entspriechend Materialnummere vu WINSOK MOSFET WSR80N10 sinn:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN06 G.10PN3 G.10PN3 G.5 PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Post Zäit: Nov-28-2023
