An der Elektronik- an Automatisatiounsindustrie ass d'Applikatioun vunMOSFETs(Metal-Oxid-Halbleiter Feld-Effekt Transistoren) ass e Schlësselfaktor ginn fir d'Performance vun elektronesche Geschwindegkeetsregulatoren (ESR) ze verbesseren.Dësen Artikel wäert entdecken wéi MOSFETs funktionnéieren a wéi se eng vital Roll an der elektronescher Geschwindegkeetskontroll spillen.
De Basisfunktiounsprinzip vum MOSFET:
E MOSFET ass en Hallefleitgerät deen de Stroum vum elektresche Stroum duerch Spannungssteuerung un oder ausschalt.An elektronesche Geschwindegkeetsreegler ginn MOSFETs als Schaltelementer benotzt fir de Stroum an de Motor ze regléieren, wat präzis Kontroll vun der Motorgeschwindegkeet erlaabt.
Uwendunge vu MOSFETs an elektronesche Geschwindegkeetsregulatoren:
Profitéiert vu senger exzellenter Schaltgeschwindegkeet an effizienter Stroumsteuerungsfäegkeeten, MOSFETs gi wäit an elektronesche Geschwindegkeetsregulatoren a PWM (Pulse Width Modulation) Circuits benotzt.Dës Applikatioun garantéiert datt de Motor stabil an effizient ënner verschiddene Laaschtbedéngungen funktionnéiert.
Wielt déi richteg MOSFET:
Wann Dir en elektronesche Geschwindegkeetsregulator designt, ass d'Wiel vum richtege MOSFET entscheedend.Parameteren fir ze berücksichtegen enthalen maximal Drain-Quellspannung (V_DS), maximal kontinuéierlech Leckstroum (I_D), Schaltgeschwindegkeet an thermesch Leeschtung.
Déi folgend sinn d'Applikatiounsdeelnummere vu WINSOK MOSFETs an elektronesche Geschwindegkeetsregulatoren:
| Deel Zuel | Configuratioun | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Package | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Single | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Single | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Single | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Single | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| Single | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Déi entspriechend Materialnummeren si wéi follegt:
WINSOK WSD3050DN corresponding material number:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.Spezifikatioune vun NIKO-SEM PE5G6EA
WINSOK WSD30L40DN entspriechend Material Zuel: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 entspriechend Material Nummer: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DPSTL1STL1STL1STL3DN5DSTLl5DN5DNL,SiR80D3D,STL5D,STL5D,STL5D,STL3D,STL3D,STL3D,SS N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
Winsok wsd3834N56 entspriechend Materialnummer: Aos Aon6382, Aon6384, Aon645426, JUKECOPTS SEMCOWOKDT PDD38N56 KORREATE MATERIALATIOUN: AOS AONSHABIGA THHR2R9, AON6384, AONE645426 JAJQANCONE PJQ5426.NEKOPPANT PKQ5426 JAJQANCEPTIGO-SEMCHANCTUDUKT PDFS48N56 KORREATE MATERIALATIOUN: AOS AONSHAIGA THH58S92080: Aonn640426.NEKA5426 JAJQANPPITY 3902x.
WINSOK WSD30150DN56 entspriechend Material Zuel: AOS AON6512, AONS32304.Onsemi, FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Optimiséiert d'Performance vum elektronesche Geschwindegkeetsregulator:
Andeems Dir d'Betribsbedéngungen an de Circuitdesign vum MOSFET optiméiert, kann d'Performance vum elektronesche Geschwindegkeetsregulator weider verbessert ginn.Dëst beinhalt eng adequat Ofkillung ze garantéieren, de passenden Chaufferkrees auswielen an ze garantéieren datt aner Komponenten am Circuit och d'Leeschtungsfuerderunge treffen.
Post Zäit: Okt-26-2023
