An de leschte Joeren ass d'LED Drive Energieversuergungsindustrie charakteriséiert duerch séier technologesch Fortschrëtter an ëmmer méi Nofro fir energiespuerend Léisungen. Mat dem weltwäite Push fir Nohaltegkeet ass d'Maartadoptioun vu LED Beliichtungssystemer wesentlech eropgaang, wat am Tour de Wuesstum an der LED Kraaftindustrie gestiermt huet.
Vun der Maartdynamik beuerteelt, ass d'Industrie Zeien vum Trend vun LED Treiber, déi intelligent a programméierbar Funktiounen integréieren fir déi wuessend Nofro fir intelligent Beliichtungsléisungen z'erreechen. D'Entstoe vun IoT (Internet of Things) an AI (Kënschtlech Intelligenz) huet d'Beliichtungsnetzwierker méi komplex gemaach, mat LED-Treiber, déi de Stroumverbrauch optiméieren an un d'Verännerunge vun der Konditioun an Echtzäit adaptéieren.
An der LED Chauffer Muecht Industrie, d'Effizienz a schalt Vitesse vunMOSFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) sinn entscheedend. Dës Hallefleitgeräter sinn en integralen Deel vun LED-Energieversuergung, well se fäeg sinn héich Stroum mat minimale Verloschter ze handhaben, fir energieeffizient Operatioun ze garantéieren. D'Schlëssel Attributer vun der MOSFET Technologie, geréng On-Resistenz a séier Schaltfäegkeeten, verbesseren d'Energieversuergung Designen, erméiglecht kompakt, zouverléisseg an héich performant LED Treiber. Fortschrëtter am MOSFET Design, sou wéi déi, déi niddereg Paartladung a verbessert thermesch Leeschtung ubidden, fuerderen d'Entwécklung vu LED Beliichtungsenergieléisungen mat engem Fokus op nohalteg, energieeffizient a kosteneffizient Uwendungen.
D'Applikatioun vunWINSOKMOSFET an der LED Fuert Energieversuergung, déi Haaptapplizéiert Modeller sinn:
| Deel Zuel | Configuratioun | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Package | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Single | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Dual | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-Ch | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Single | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | BIS-252 | |
| Single | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | BIS-252 | |
Aner Mark Material Zuelen entspriechend der uewen WINSOKMOSFETsinn:
Déi entspriechend Material Zuelen vun WINSOK MOSFET WST3400 sinn: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Déi entspriechend Material Zuelen vun WINSOK MOSFET WSP6946 sinn: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Déi entspriechend Material Zuelen vun WINSOK MOSFET WSP6067 sinn: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Déi entspriechend Material Zuelen vun WINSOK MOSFET sinn: AOS AO4611, AO4612.
Déi entspriechend Material Zuelen fir WINSOK MOSFET WSF15N10 sinn: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Déi entspriechend Material Zuelen vunWINSOK MOSFETWSF40N10 sinn: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
Insgesamt ass d'LED Driver Power Industrie bereet fir weider Wuesstum, gedriwwen duerch Energieeffizienz, fortgeschratt Technologien, an déi global Konvergenz vu intelligenten an nohaltege Beliichtungsléisungen.
Post Zäit: Nov-06-2023
