Uwendung vun WINSOK MOSFET an intelligent medezinesch Equipement

Applikatioun

Uwendung vun WINSOK MOSFET an intelligent medezinesch Equipement

Mat dem kontinuéierleche Fortschrëtt vun der Wëssenschaft an der Technologie ass intelligent medezinesch Ausrüstung eng wichteg dreiwend Kraaft fir d'Innovatioun an d'Entwécklung vun der medizinescher Industrie ginn.Dorënner, MOSFET (Metal-Oxid-Halbleiter Feld-Effekt Transistor) Technologie spillt eng Schlësselroll an der Leeschtung vun medezinesch Equipement ze verbesseren an Energieverbrauch reduzéieren.MOSFET ass en onverzichtbare Bestanddeel an intelligent medizinescht Ausrüstung ginn wéinst senger héijer Effizienz, gerénger On-Resistenz a séier Schaltfäegkeeten.

Uwendung vun WINSOK MOSFET an intelligent medezinesch Equipement

Am Beräich vun portable medizineschen Apparater,MOSFET anMiniaturiséierung an niddrege Stroumverbrauch maachen et eng ideal Wiel.Et liwwert effizient Stroumverwaltung an engem kompakten Raum, verlängert d'Batteriedauer vum Apparat a garantéiert datt den Apparat korrekt an zouverlässeg medizinesch Servicer zu kriteschen Momenter liwwert.

Intelligent medezinesch Ausrüstungsou wéi Elektrokardiogrammen, Blutdrockmonitore, a Bluttzocker Meter hunn ugefaang d'MOSFET Technologie wäit ze adoptéieren.MOSFETs verbesseren net nëmmen d'Performance vun dësen Apparater, mee maachen se och méi ëmweltfrëndlech a wirtschaftlech andeems d'Energieverbrauch reduzéiert gëtt.

MOSFETs spillen och eng wichteg Roll am medizinesche Bildgebitt wéi MRI an CT Scans.Seng séier Schaltfäegkeeten an héich Leeschtung garantéieren datt medezinesch Imaging Ausrüstung héich-Resolutioun a qualitativ héichwäerteg Biller liwweren kann, hëllefen Dokteren méi genee Diagnosen maachen.

 

WINSOK MOSFET Uwendungsmaterialnummer am Beräich vun intelligenter medizinescher Ausrüstung:

Deel Zuel

Configuratioun

Typ

VDS

ID (A)

VGS(th)(v)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Package

@10V

(V)

Max.

Min.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

(pF)

WST 3400

Single

N-Ch

30

7

0,5

0.8

1.2

-

-

572

SOT-23-3L

WSD30L40DN Ubidder

Single

P-Ch

-30

-40

-1.3

-1.8

-2.3

11

14

1380

DFN3X3-8

WSD30100DN56

Single

N-Ch

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350

DFN5X6-8

WSD30150DN56 Ubidder

Single

N-Ch

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

WSD20L120DN56 Ubidder

Single

P-Ch

-20

-120

-0.4

-0,6

-1

-

-

4950

DFN5X6-8

WSD30L120DN56 Ubidder

Single

P-Ch

-30

-120

-1.2

-1.5

-2.5

2.9

3.6

6100

DFN5X6-8

WSF 3040

Single

N-Ch

30

43

1.2

1.5

2.5

10

12

940

BIS-252

WSF 3085

Single

N-Ch

30

85

1

1.5

2.5

4.5

5.5

2295

BIS-252

 

Seng entspriechend Material Zuel:

WINSOK WST3400 entspriechend Material Zuel: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3912S.DINTEK ELECTRONICS DTS3406.

WINSOK WSD30L40DN entspriechend Material Zuel: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507.

WINSOK WSD30100DN56 entspriechend Materialnummer: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.

NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5,STL58N3LLH5.INFINEON,IR SMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.

WINSOK WSD30150DN56 entspriechend Material Nummer:AOS AON6512,AONS32304Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Poten PKE24BB.Poten.

WINSOK WSD20L120DN56 entspriechend Material Zuel:AOS AON6411.TOSHIBA TPH1R403NL.

WINSOK WSD30L120DN56 entspriechend Material Zuel: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.NIKO-SEM PK5A7BA.Potens Semiconductor PDC3901X.

WINSOK WSF3040 entspriechend Material Nummer: AOS AOD32326, AOD418, AOD514, AOD516, AOD536, AOD558.Onsemi, FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NF3LL.INFINEON,IR IPD090N3T1KLMJ0N3D090N3 TJMLG3D090N3 TJMLG090N3 TJMLG090N3 TJMLG. .Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.

WINSOK WSF3085 entspriechend Material Nummer: AOS AOD4132, AOD508, AOD518.Onsemi, FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON,IR IPD031N03LG,IPD040N03LG.P8NJIT03LG.P6N000N0000000000000000000000000000000000000000000.

 

Allgemeng fördert MOSFET Technologie d'Entwécklung vu intelligenten medizineschen Ausrüstung fir méi effizient, méi genau a méi ëmweltfrëndlech ze sinn.Mat dem kontinuéierleche Fortschrëtt vun der Technologie huet MOSFET breet Uwendungsperspektiven an intelligent medizinescht Ausrüstung a gëtt erwaart méi Innovatioun an Ännerungen an der medizinescher Industrie ze bréngen.


Post Zäit: Okt-27-2023